Le specifiche prestazionali delle sfere con nucleo in rame includono stabilità termica (il nucleo in rame non si scioglie), elevata conduttività (5-10 volte quella delle sfere di saldatura), elevata conduttività termica, eccellente resistenza all'elettromigrazione, resistenza agli urti e ritenzione di spazio dopo la saldatura a rifusione. Sono materiali di interconnessione chiave che supportano imballaggi 3D ad alta densità.
Punto di fusione del nucleo di rame Maggiore o uguale a 1083 gradi, superando di gran lunga la temperatura di saldatura a rifusione (circa 250 gradi), garantisce che non si sciolga o si deformi durante più cicli termici, mantenendo efficacemente gli spazi fisici tra gli stack di chip.
Durante la saldatura a rifusione multi-strato nel packaging 3D, evita problemi come il collasso dei giunti di saldatura e il collegamento di cortocircuiti, garantendo l'integrità strutturale degli stack DRAM multi-strato come quelli HBM.
Stabilità dimensionale: l'elevato punto di fusione del nucleo di rame (circa 1080 gradi) gli consente di rimanere solido entro l'intervallo di temperature di saldatura standard, che è fondamentale per ottenere un packaging 3D affidabile.
Affidabilità meccanica: include la resistenza ai cicli termici e alla resistenza agli urti meccanici (come i test di caduta). Gli studi hanno dimostrato che alcuni tipi di sfere con nucleo in rame superano o sono equivalenti alle tradizionali saldature ad alto-argento in questo senso.
Proprietà elettriche e termiche: il rame fornisce un'eccellente conduttività elettrica e termica, mentre la placcatura esterna in nichel inibisce efficacemente la diffusione del rame e migliora la resistenza all'elettromigrazione, rendendolo adatto per applicazioni ad alta densità di corrente.
