Il mercato cinese delle sfere con nucleo in rame confezionate 3D-ha raggiunto circa 950 milioni di RMB nel 2023 e si prevede che supererà 1,7 miliardi di RMB entro il 2030, con un CAGR globale dell'8,2%.
Attualmente, la domanda del mercato di sfere con nucleo in rame (CCSB) è in continua crescita con la diffusione di tecnologie di imballaggio avanzate. La sua forza trainante deriva dalla crescita esplosiva del calcolo ad alte-prestazioni, dei chip AI e della memoria ad alta-larghezza di banda (HBM). Quella che segue è un’analisi chiave della domanda di mercato:
Stacking di memoria HBM: negli scenari di formazione AI e data center, HBM raggiunge un livello di larghezza di banda di TB/s-attraverso lo stacking verticale DRAM multi-strato, ponendo requisiti estremamente elevati alla stabilità termica e all'affidabilità dei giunti di saldatura. Le sfere con nucleo in rame, grazie alla loro caratteristica di non-collasso durante più riflussi, sono diventate la soluzione di interconnessione preferita per gli imballaggi HBM.
Chip AI e GPU di fascia alta-: gli acceleratori AI come NVIDIA H100 utilizzano l'architettura Chiplet e il packaging 3D, facendo affidamento su sfere con nucleo in rame per ottenere connessioni ad alta-densità e ad alta-affidabilità tra chip logici e HBM per affrontare le sfide di centinaia di watt di consumo energetico e alta densità di corrente.
Elettronica automobilistica e controllo industriale: in campi ad alta- affidabilità come l'elettronica automobilistica, le sfere con nucleo in rame hanno una migliore resistenza agli urti rispetto alle tradizionali sfere di saldatura e sono adatte per ambienti di lavoro difficili.
